半导体装置的制造方法
授权
摘要
本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。所述工序为：工序(A)，准备第1结构体(100)，所述第1结构体(100)具备依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性层叠膜(50)、以及粘贴于粘着性树脂层(30)上且具有第1端子(65)的第1半导体部件(60)；工序(B)，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，对第1结构体(100)进行回流焊处理；工序(C)，在工序(B)之后，将耐热性树脂层(10)从粘着性层叠膜(50)剥离。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109075085A
申请号 ：
CN201780021681.1
公开（公告）日 ：
2018-12-21
申请日 ：
2017-03-27
授权号 ：
CN109075085B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
林下英司
申请人 ：
三井化学东赛璐株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN201780021681.1
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/301 H01L25/065 H01L25/07 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20170327
申请日 : 20170327
2018-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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