半导体装置及其制造方法
授权
摘要
本发明提供功率半导体元件的芯片尺寸并非由铝导线直径尺寸决定的半导体装置。本发明中，IGBT(1)的发射极上第一和第二连接电极彼此相对地分离并形成，在二极管(2)的阳电极上也彼此相对地分离并形成第一和第二连接电极。从引出电极(4)的一方侧面部(4SP1)向内侧弯曲形成第一电极布线部(5A)，从另一方侧面部(4SP2)与第一电极布线部(5A)相对地分离并形成第二电极布线部(5B)。在与(IGBT1)相对的位置上的第一和第二电极布线部(5A、5B)分别仅与第一和第二连接电极焊接，同样，在与二极管(2)相对的位置上的第一和第二电极布线部(5A、5B)也分别仅与第一和第二连接电极焊接。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828888A
申请号 ：
CN200610059558.2
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥英树
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN200610059558.2
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/07 H01L23/488 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2009-07-29 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100521192C.PDF
PDF下载
2、
CN1828888A.PDF
PDF下载
