全包围栅场效应晶体管及其制造方法
授权
摘要
本申请公开了一种全包围栅场效应晶体管及其制造方法。方法包括：在衬底上形成第一鳍片结构，其包括第一叠层结构，第一叠层结构由下向上依次包括牺牲层、支撑层和沟道层；形成横跨第一鳍片结构的伪栅结构，其包括伪栅电介质层及其上的伪栅和伪栅侧面的第一间隔物；去除第一鳍片结构位于伪栅结构两侧的部分以形成第二鳍片结构；对第二鳍片结构中的牺牲层的侧面进行第一刻蚀以形成第一空间；在第一空间中形成第二间隔物；对第二鳍片结构中的沟道层的侧面进行第二刻蚀以形成第二空间；对第二鳍片结构中的沟道层的侧面进行选择性外延以形成源区和漏区；在沿着沟道的方向上，与第二间隔物背离牺牲层的侧面相比，第二刻蚀后的沟道层的侧面更靠近牺牲层。
基本信息
专利标题 ：
全包围栅场效应晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109904074A
申请号 ：
CN201711307799.9
公开（公告）日 ：
2019-06-18
申请日 ：
2017-12-11
授权号 ：
CN109904074B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
唐粕人
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张海强
优先权 ：
CN201711307799.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/423 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-07-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20171211
申请日 : 20171211
2019-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN109904074A.PDF
PDF下载
