鳍型场效应晶体管的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种鳍型场效应晶体管(FinFET)的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成硅层；利用多步掩模形成工艺在上述硅层上形成掩模图案；利用所述掩模图案将上述硅层图案化为硅鳍状物以使所述硅鳍状物仅保留在所述掩模图案的下方；去除所述掩模层将所述鳍状物留在所述衬底上；和以与所述鳍状物成非垂直的角度在所述鳍状物上方形成栅导体。
基本信息
专利标题 ：
鳍型场效应晶体管的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1805124A
申请号 ：
CN200610005124.4
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
埃德沃德·J·诺瓦克布伦特·A·安德森凯利·伯恩斯坦
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200610005124.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2012-03-21 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101207310174
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100051244
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20110112
号牌文件序号 : 101207310174
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006100051244
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20110112
2009-01-14 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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