本实用新型为用等离子方法生产多晶硅的装置，涉及生产半导体材料装置的领域，目前主要利用三氯氢硅在电炉中裂解成盐酸、氯气和多晶硅，这种方法的设备成本高，结构复杂，本实用新型采用硅烷或卤代硅烷作为原料，与氢气一起加热到等离子状态，在冷却过程中生成多晶硅，主要设备具有用于等离子化的等离子转换室，将从等离子转换室出来的尾气进行分离的尾气分离塔和储存气体副产物的尾气储存罐，所用的设备具有建设投资费用低，生产费用只有现有技术的五分之一，生产效率高，适合于各种规模生产线要求，如进行较大规模的生产，可将多台设备并联后进行生产，并且具有节能，操作方便，安全性高的有益效果。