挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅

专利申请权、专利权的转移

摘要

多晶硅的挡板晶圆(60)置放在支撑塔(20)的非生产沟槽中，用于热处理单晶硅晶圆。多晶硅较佳为随机定向多晶硅(ROPSi)，优选通过使用随机定向晶种(例如CVD成长的硅)而以Czochralski方法来成长。热炉管(10)的全硅热区可以包括硅支撑塔，其中该硅支撑塔设置在硅衬里(18)内且支撑这些多晶硅挡板晶圆，硅注射器在该衬里内提供处理气体。该随机定向多晶硅可用于其它需要粗糙构件的零件(例如在硅处理腔室中)并用于结构性构件。

基本信息

专利标题：

挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101167163A

申请号：

CN200680007000.8

公开（公告）日：

2008-04-23

申请日：

2006-02-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

詹姆斯·E·包义森里斯·雷诺斯拉阿南·Y·柴海威罗伯特·米顿汤姆·L·卡德韦尔

申请人：

统合材料股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

徐金国

优先权：

CN200680007000.8

主分类号：

H01L21/30

IPC分类号：

H01L21/30 C30B15/06 H01L21/46

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

法律状态

2022-03-25 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/30
登记生效日 : 20220314
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 磁性流体技术（美国）集团公司
变更后权利人 : 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢

2013-07-10 ：

授权

2012-11-07 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101458744089
IPC(主分类) : H01L 21/30
专利申请号 : 2006800070008
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 统合材料股份有限公司
变更后权利人 : 磁性流体技术(美国)集团公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20120925

2008-06-18 ：

实质审查的生效

2008-04-23 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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