制备半导体存储器件中电解质材料层的方法
专利权的终止
摘要
本发明的目标在于发展一种能够以CMOS技术为基础来制成的非易失性电阻率转换存储器系统，该目的通过本发明的方法实现，该方法用于制备在半导体存储器件(具体为电阻率转换存储器件或元件)中使用的电解质材料层，该材料层中混合有或沉积有硫属化合物材料。该方法至少包括以下步骤：制成半导体衬底；在半导体衬底上沉积二元硫属化合物层；在二元硫属化合物层上沉积含硫层并生成包括至少两种不同硫属化合物ASexSy的三元硫属化合物层，其中，硫属化合物ASexSy的一个组分A是第IV主族元素的材料，例如Ge、Si，或过渡金属(例如包括Zn，Cd，Hg的组)的材料，或由它们的混合物构成。
基本信息
专利标题 ：
制备半导体存储器件中电解质材料层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133503A
申请号 ：
CN200680004305.3
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
凯－乌韦·平诺克劳斯－迪特尔·乌费尔特
申请人 ：
奇梦达股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN200680004305.3
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24 G11C13/02
法律状态
2016-03-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101652168639
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利号 : ZL2006800043053
申请日 : 20060207
授权公告日 : 20101117
终止日期 : 20150207
号牌文件序号 : 101652168639
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利号 : ZL2006800043053
申请日 : 20060207
授权公告日 : 20101117
终止日期 : 20150207
2010-12-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101047189682
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2006800043053
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 奇梦达股份公司
变更后权利人 : 爱德斯托科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20101022
号牌文件序号 : 101047189682
IPC(主分类) : H01L 45/00
专利申请号 : 2006800043053
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 奇梦达股份公司
变更后权利人 : 爱德斯托科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 德国慕尼黑
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20101022
2010-11-17 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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