半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：第一电路结构；第一导线，其连接到第一电路结构；第二导线，其面向第一导线；以及第二电路结构，其与第一电路结构交叠，并且第一导线和第二导线插置在第一电路结构和第二电路结构之间，第二电路结构连接到第二导线。第一导线和第二导线中的一个具有朝着第一导线和第二导线中的另一个突出的区域。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520235A
申请号 ：
CN202110752820.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-07-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李南宰
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110752820.6
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/1157 H01L27/11556 H01L27/11529 H01L27/11548 H01L27/11524
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11582
申请日 : 20210702
申请日 : 20210702
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
