半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其目的在于，当将多个半导体芯片立体地配置时，与现有方法相比可以抑制厚度，减少专用面积，并且不使用其他零件即可实现低成本的安装，且能够实现所述半导体装置的制造工序的简化。经由凸块电极(102)将通过背面研磨而被薄型化的第1半导体芯片(101)及衬底(105)直接与布线图案(106)连接，从而形成倒装芯片安装构造。并且，在第2半导体芯片(103)上，预先形成例如比第1半导体芯片(101)的厚度与电极(102)的高度之和还高的电极(104)，将该电极(104)与衬底(105)上的布线图案(106)直接连接，以此获得构造最紧凑的立体半导体安装装置。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101107710A
申请号 ：
CN200680003158.8
公开（公告）日 ：
2008-01-16
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川端理仁冨士原义人
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
肖鹂
优先权 ：
CN200680003158.8
主分类号 ：
H01L25/065
IPC分类号 ：
H01L25/065 H01L25/07 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/065
包含在H01L27/00组类型的器件
法律状态
2015-03-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101602182857
IPC(主分类) : H01L 25/065
专利号 : ZL2006800031588
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20140125
号牌文件序号 : 101602182857
IPC(主分类) : H01L 25/065
专利号 : ZL2006800031588
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20100519
终止日期 : 20140125
2010-05-19 ：
授权
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2008-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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