半导体激光装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种半导体激光装置(A)，包括：基座(1A)，固定在该基座上的块体(1B)，以及设置在该块体上的半导体激光元件(2)。半导体激光装置(A)还包括贯通基座(1A)并且与半导体激光元件(2)导通的引线(4A)。在基座(1A)的上面，固定有构成为包围半导体激光元件(2)和引线(4A)的一端部的罩(5)。在罩(5)上，形成有在从半导体激光元件(2)射出的激光的射出方向上插通的开口(5d)。因此，罩(5)成为在所述激光的射出方向上开放的构成。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103502A
申请号 ：
CN200680002145.9
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2006-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山本刚司
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680002145.9
主分类号 ：
H01S5/022
IPC分类号 ：
H01S5/022
法律状态
2009-12-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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