激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法

专利权的终止

摘要

在使用CW激光器或准CW激光器进行激光退火时，与准分子激光器相比，生产率不高，因此有必要进一步提高生产率。根据本发明，使用基波而不将激光引入非线性光学元件，并且通过用具有高重复频率的脉冲激光照射半导体薄膜来进行激光退火。因为不使用非线性光学元件，并因此光不被转换成谐波，所以可以使用具有高输出功率的激光振荡器来进行激光退火。因此，可以增加通过一次扫描形成的具有大颗粒晶体的区域的宽度，从而可以大大提高生产率。

基本信息

专利标题：

激光照射方法、激光照射装置和制造半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101044597A

申请号：

CN200580036125.9

公开（公告）日：

2007-09-26

申请日：

2005-10-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

田中幸一郎山本良明

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李德山

优先权：

CN200580036125.9

主分类号：

H01L21/268

IPC分类号：

H01L21/268

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/26

用波或粒子辐射轰击的

H01L21/263

带有高能辐射的

H01L21/268

应用电磁辐射的，例如激光辐射

法律状态

2018-10-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/268
申请日 : 20051018
授权公告日 : 20121128
终止日期 : 20171018

2012-11-28 ：

授权

2007-11-21 ：

实质审查的生效

2007-09-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载