本发明提供了一种使用温度可调夹紧设备(1)来测试半导体晶片(5)的方法，包括如下步骤：使用具有预定加热功率(PW)的电加热设备(HE)和具有预定冷却能力(PK)的冷却设备(11a，11b，11c)，将夹紧设备的温度控制到预定测量温度，其中将流体(F)通过冷却设备(11a，11b，11c)以达到冷却目的，所述加热功率(PW)实质上大于预定测试功率(PT)；将半导体晶片(5)的背面(R)放置在温度可调夹紧设备(1)的支持面(AF)上；将探测卡(7’，7’a)放置在半导体晶片(5)的正面；通过使用其上放置的探测卡(7’，7’a)的探针(91，92)，从测试装置(TV)将测试功率(PT)施加到半导体晶片(5)的正面(O)的芯片区(CH)中，对半导体晶片(5)进行测试；记录测试期间流体(F)的温度升高，流体(F)的温度升高反映了测试功率(PT)；以及考虑到测试期间记录的流体(F)的温度升高，在冷却能力(PK)实质上恒定不变的情况下，减小测试期