一种具有双介质埋层的耐压层结构及SOI功率器件
专利权的终止
摘要
本实用新型提供了一种用于SOI功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的SOI功率器件，属于SOI功率器件耐压技术领域。本实用新型耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本实用新型采用的耐压层及其采用该耐压层制作的功率器件，在相同介质埋层厚度的情况下可以提高耐压，而在相同的耐压情况下可以大幅度减小自热效应，从而制作高耐压的SOI功率器件。
基本信息
专利标题 ：
一种具有双介质埋层的耐压层结构及SOI功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620035998.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-10-25
授权号 ：
CN200986921Y
授权日 ：
2007-12-05
发明人 ：
罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
610054四川省成都市建设北路2号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所
代理人 ：
徐丰
优先权 ：
CN200620035998.X
主分类号 ：
H01L29/00
IPC分类号 ：
H01L29/00 H01L29/786 H01L29/78 H01L29/739 H01L29/861 H01L29/74 H01L27/12 H01L23/00
法律状态
2012-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101164510111
IPC(主分类) : H01L 29/00
专利号 : ZL200620035998X
申请日 : 20061025
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 20101025
号牌文件序号 : 101164510111
IPC(主分类) : H01L 29/00
专利号 : ZL200620035998X
申请日 : 20061025
授权公告日 : 20071205
终止日期 : 20101025
2007-12-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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