覆盖游标及用其制造半导体器件的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种覆盖游标包括具有和设置在实际单元中的图案相同的布局的覆盖游标图案。下覆盖游标图案和当作实际单元的下层的下层图案一起形成在划割线区域之内，而上覆盖游标图案和当作实际单元的上层的上层图案一起形成在划割线区域之内。下覆盖游标图案和上覆盖游标图案具有分别与下层图案和上层图案相同的布局。使用上覆盖游标图案和下覆盖游标图案之间的重叠度，可以精确对准设置实际单元中的上层图案和下层图案。
基本信息
专利标题 ：
覆盖游标及用其制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1866510A
申请号 ：
CN200610004302.1
公开（公告）日 ：
2006-11-22
申请日 ：
2006-02-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任东圭
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004302.1
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-01-17 ：
实质审查的生效
2006-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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