用树脂覆盖的耐高压半导体器件及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在将密封用树脂涂敷在封装或者衬底上所安装的耐高压半导体芯片上，并使其固化时，在芯片电极或者芯片通过引线等布线所连接的电极端子的至少一个和与该电极端子之间需要绝缘耐压的另一个电极之间，一边施加高电压一边使树脂固化。密封用树脂使用合成高分子化合物，该化合物将具有由硅氧烷产生的交链结构的有机硅聚合物A和具有由硅氧烷(Si－O－Si键合体)产生的线状链接结构的有机硅聚合物B交替地通过硅氧烷键合而被线状地链接，从而构成有机硅聚合物C，并以共价键进行三维链接。由此，即使在安装于衬底或者封装上并且用树脂密封的耐高压半导体芯片上施加了高反向电压时，也能够抑制漏电流的增大和获得设计值那样的电绝缘耐久性。
基本信息
专利标题 ：
用树脂覆盖的耐高压半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053078A
申请号 ：
CN200580033930.6
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冈田真一菅原良孝浅野胜则高山大辅东海林义和谢名堂正末吉孝日渡谦一郎
申请人 ：
关西电力株式会社;株式会社艾迪科
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN200580033930.6
主分类号 ：
H01L23/29
IPC分类号 ：
H01L23/29 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/29
按材料特点进行区分的
法律状态
2009-09-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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