制造电子模块的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

制造电子模块的方法,其中所述电子模块包括元件(6),所述元件具有接触区域(17),所述接触区域电连接到导体图案层(14)。符合本发明的制造始于分层膜,所述分层膜包含至少导体层(4)和在所述导体层(4)的第一表面上的绝缘体层(10)。在所述膜内制造接触开口(17),其相互位置对应于所述元件(6)的所述接触区域(7)的相互位置且穿透所述导体层(4)和所述绝缘体层(10)。在制造完所述接触开口(17)后,所述元件(6)以使得所述元件(6)的接触区域(7)邻近所述接触开口(17)对齐的方式连接到所述绝缘体层(10)的所述表面。之后,至少在所述接触开口(17)和所述元件(6)的所述接触区域(7)中提供导体材料,所述导体材料将所述元件(6)连接到所述导体层(4),并且图案化所述导体层(4)以形成导体图案层(14)。

基本信息
专利标题 :
制造电子模块的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101065843A
申请号 :
CN200580040291.6
公开(公告)日 :
2007-10-31
申请日 :
2005-11-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
里斯托·图奥米宁安蒂·伊霍拉
申请人 :
伊姆贝拉电子有限公司
申请人地址 :
芬兰埃斯波
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
顾晋伟
优先权 :
CN200580040291.6
主分类号 :
H01L23/538
IPC分类号 :
H01L23/538  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2020-09-22 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/538
登记生效日 : 20200903
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : GE因百德电子公司
变更后权利人 : 伊姆贝拉泰克有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 芬兰赫尔辛基
变更后权利人 : 美国维吉尼亚州
2020-05-19 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/538
变更事项 : 专利权人
变更前 : 伊姆贝拉电子有限公司
变更后 : GE因百德电子公司
变更事项 : 地址
变更前 : 芬兰埃斯波
变更后 : 芬兰赫尔辛基
2010-08-18 :
授权
2007-12-26 :
实质审查的生效
2007-10-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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