使用批式制程腔室的基材处理装置

专利权的终止

摘要

本发明的态样包含一种利用适于在一或多个批式及/或单一基材制程腔室中处理基材以增加该系统产能的多腔室制程系统(例如集结式机台)处理基材的方法及设备。在一实施例中，一系统是经配置以执行一基材制程程序，其仅含有批式制程腔室，或批式及单一基材制程腔室，以最佳化产能并最小化制程缺陷。在一实施例中，使用批式制程腔室来增加系统产能，通过在其中执行与该基材制程程序中其他制程配方步骤相比特别冗长的制程配方步骤。本发明的态样也包含一种传送前驱物至制程腔室的设备及方法，因此可重复执行ALD(原子层沉积)或CVD(化学气相沉积)沉积制程。

基本信息

专利标题：

使用批式制程腔室的基材处理装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101061253A

申请号：

CN200580039849.9

公开（公告）日：

2007-10-24

申请日：

2005-11-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

兰多赫·撒库尔史缔文·G·查那耶约瑟夫·尤多夫斯基阿朗·韦伯阿达姆·A·布莱劳弗尼尔·曼瑞斐内·K·沙阿安德列斯·G·贺格妲斯

申请人：

应用材料股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陆嘉

优先权：

CN200580039849.9

主分类号：

C23C16/00

IPC分类号：

C23C16/00 C23F1/00 H01L21/306

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

法律状态

2020-11-03 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 16/00
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20101222
终止日期 : 20191122

2012-01-11 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101262314897
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利号 : ZL2005800398499
变更事项 : 专利权人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州

2010-12-22 ：

授权

2007-12-26 ：

实质审查的生效

2007-10-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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