通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法

专利权的终止

摘要

一种用于制造互补金属氧化物半导体的方法在衬底(12)上形成不同类型的晶体管，如N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管(第一和第二类型晶体管)。所述方法在NMOS晶体管和PMOS晶体管上形成可选氧化层(52)，然后利用例如氮化硅层的硬质材料(50)来覆盖所述NMOS晶体管和PMOS晶体管。此后，所述方法对硬质材料层(50)部分进行图案化，使得所述硬质材料层只保留在NMOS晶体管上。接下来，所述方法加热(178，204)NMOS晶体管，然后移除所述硬质材料层(50)的其余部分。通过在NMOS晶体管(NFET)的栅极(22)中产生压应力并且在沟道区中产生张应力(70)，而不在PMOS晶体管(PFET)的栅极(20)或沟道区中产生应力，所述方法在不使PFET的性能降级的情况下改进了NFET的性能。

基本信息

专利标题：

通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101390209A

申请号：

CN200580038501.8

公开（公告）日：

2009-03-18

申请日：

2005-11-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

海宁·S·杨

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜娟

优先权：

CN200580038501.8

主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L21/8238 H01L21/336

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8238

互补场效应晶体管，例如CMOS

法律状态

2019-11-01 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20100929
终止日期 : 20181110

2010-09-29 ：

授权

2009-05-13 ：

实质审查的生效

2009-03-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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