使用应变硅用于晶体管的集成设计方法和结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供了一种形成CMOS集成电路的方法。该方法在半导体衬底上的第一阱区和第二阱区的整个表面区域上形成二氧化硅覆盖层。该二氧化硅覆盖层覆在第一栅极结构和第二栅极结构上的硬掩模上。该二氧化硅覆盖层还覆在要保护的区域上。根据实施方式，该区域可以是侧壁隔离结构和MOS器件的衬底周边区域上的部分。当然，可以存在其它变化、修改和替换。该方法利用掩模层保护要保护的区域，同时第一阱区和第二阱区的表面区域暴露。该方法有选择地除去二氧化硅覆盖层的暴露部分，包括第一栅极结构和第二栅极结构上的硬掩模，同时暴露第一栅极结构上的第一多晶硅材料和第二栅极结构上的第二多晶硅材料。该方法剥离掩模层。该方法还包括在第一栅极结构上的第一多晶硅材料上以及第二栅极结构上的第二多晶硅材料上形成金属硅化层，同时要保护的区域不

基本信息

专利标题：

使用应变硅用于晶体管的集成设计方法和结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1959957A

申请号：

CN200510110068.6

公开（公告）日：

2007-05-09

申请日：

2005-10-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

宁先捷

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

肖善强

优先权：

CN200510110068.6

主分类号：

H01L21/8238

IPC分类号：

H01L21/8238

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8238

互补场效应晶体管，例如CMOS

法律状态

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101260312167
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005101100686
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2010-05-05 ：

授权

2007-07-04 ：

实质审查的生效

2007-05-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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