一种晶体管的集成基板
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种晶体管的集成基板，包括底基，所述底基表面均设置有条形纹，且在所述底基双面上均设置有镀膜层，所述镀膜层由若干组已经腐蚀成型的薄膜导电层和位于相邻两组薄膜导电层之间的绝缘层组成，所述薄膜导电层和所述绝缘层的表面均设置有相互嵌合的凹坑和凸点，在所述镀膜层上设置有穿孔，且所述穿孔内均充填有绝缘树脂层，所述绝缘树脂层内开设有通孔；本实用新型在空间结构内通过凹坑和凸点以提高层与层之间的稳定性和可靠性，能够有效的将不同层位上的薄膜导电层连通以满足不同条件下的导电需求，并且在通孔内通过绝缘树脂层安装晶体管，实现连通薄膜导电层的同时还不影响其他的薄膜导电层。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体管的集成基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020733670.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-07
授权号 ：
CN211744863U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
高苗苗
申请人 ：
深圳市冠禹半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区蛇口街道南海大道1052号海翔广场4楼406-410室12-01号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020733670.5
主分类号 ：
H05K1/02
IPC分类号 ：
H05K1/02 H05K1/09 H05K1/11
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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