将溅射源和偏压功率频率施加到工件上的金属等离子体汽相沉积...
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摘要

一种等离子体反应器包括真空室,该真空室包括侧壁、室顶及一靠近该室的室底板的晶圆支撑托架,及连接到该室的真空泵。一连接到该室的处理气体入口被以及连接到该处理气体入口的处理气体源。该反应器还包括位于室顶板的金属溅镀靶材、连接到该溅镀靶材上的高压直流电源、连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体源功率产生器并具有一适宜激发运动电子的频率,及连接到该晶圆支撑托架的RF等离子体偏压功率产生器并具有一适宜将能量耦接至等离子体离子的频率。

基本信息
专利标题 :
将溅射源和偏压功率频率施加到工件上的金属等离子体汽相沉积和再溅射的设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1950922A
申请号 :
CN200580013581.1
公开(公告)日 :
2007-04-18
申请日 :
2005-10-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
卡尔·M·布朗约翰·帕皮通维内特·梅塔
申请人 :
应用材料股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 :
徐金国
优先权 :
CN200580013581.1
主分类号 :
H01J37/34
IPC分类号 :
H01J37/34  C23C14/34  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
H01J37/34
用阴极溅射工作的
法律状态
2012-02-15 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101280920638
IPC(主分类) : H01J 37/34
专利号 : ZL2005800135811
变更事项 : 专利权人
变更前 : 应用材料股份有限公司
变更后 : 应用材料公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2010-11-10 :
授权
2008-04-09 :
实质审查的生效
2007-04-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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