一种具有高k栅介质层和硅化物栅电极的半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成高k栅介质层，在该高k栅介质层上形成阻挡层，和在该阻挡层上形成全硅化物栅电极。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高k栅介质层和硅化物栅电极的半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1873922A
申请号 ：
CN200510129150.3
公开（公告）日 ：
2006-12-06
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·多茨J·布拉斯克J·卡瓦利罗斯M·梅茨S·达塔R·仇
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
梁永
优先权 ：
CN200510129150.3
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/336 H01L29/40 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
2019-10-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/283
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20101215
终止日期 : 20181102
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20101215
终止日期 : 20181102
2010-12-15 ：
授权
2007-01-31 ：
实质审查的生效
2006-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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