具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件的制造方法

专利权的终止

摘要

描述了一种半导体器件的制造方法。该方法包括将氮添加到二氧化硅层以在衬底上形成氮化二氧化硅层。在氮化二氧化硅层上形成牺牲层后，去除牺牲层以形成沟槽。在沟槽内的氮化二氧化硅层上形成高k栅介电层，且在高k栅介电层上形成金属栅电极。

基本信息

专利标题：

具有高k栅电介质和金属栅电极的半导体器件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101099241A

申请号：

CN200580046271.X

公开（公告）日：

2008-01-02

申请日：

2005-12-07

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

J·布拉斯克S·裴J·卡瓦利罗斯M·梅茨M·多齐S·达塔R·乔J·麦滋

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

张政权

优先权：

CN200580046271.X

主分类号：

H01L29/51

IPC分类号：

H01L29/51 H01L21/28 H01L21/336 H01L29/49 H01L21/8238