半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装
专利权的终止
摘要
本申请涉及半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装。该方法包括：准备由Fe－Ni合金(42号合金)形成的基底，并在该基底上镀覆晶粒尺寸小于1微米的镀层。通过使Sn镀层的晶粒尺寸最小化，可以抑制当在Fe－Ni合金(42号合金)形成的基底上形成Sn镀层时晶须的生长。
基本信息
专利标题 ：
半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770440A
申请号 ：
CN200510106953.7
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔祐硕金重道金银熙李秀奉
申请人 ：
三星TECHWIN株式会社
申请人地址 ：
韩国庆尚南道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李春晖
优先权 ：
CN200510106953.7
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2012-11-28 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101355721504
IPC(主分类) : H01L 23/495
专利号 : ZL2005101069537
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20110929
号牌文件序号 : 101355721504
IPC(主分类) : H01L 23/495
专利号 : ZL2005101069537
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20110929
2010-05-05 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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