去除光刻膜的技术

专利权的终止

摘要

本发明提供了用于去除半导体器件制造过程中使用的光刻膜的技术。第一处理室的衬底支撑部件包括至少三个可缩进针脚，所述至少三个可缩进针脚可以将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。此外，第一处理室被配置成将衬底支撑部件自动维持在第一温度。通过使用所述至少三个可缩进针脚将晶圆抬离衬底支撑部件的表面。从衬底支撑部件对衬底的发热被减少。在衬底处于抬升位置的时候刻蚀掉衬底的光致抗蚀剂层。可以刻蚀衬底的抗反射层以充分去除所有抗反射层。在一个具体实施例中，抗反射层包括Honeywell国际公司的DUO^TM底部抗反射涂层。

基本信息

专利标题：

去除光刻膜的技术

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1940732A

申请号：

CN200510030309.6

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-09-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王润顺王超郑莲晃

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

王怡

优先权：

CN200510030309.6

主分类号：

G03F7/42

IPC分类号：

G03F7/42 G03F7/26

相关图片

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/26

感光材料的处理及其设备

G03F7/42

剥离或剥离剂

法律状态

2019-09-17 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/42
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20091111
终止日期 : 20180929

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259320050
IPC(主分类) : G03F 7/42
专利号 : ZL2005100303096
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-11-11 ：

授权

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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