在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法
专利权的终止
摘要
一种具有双层硅化物结构的半导体器件及其制造方法，在后续的热处理过程中均质地保持硅化钛表面以改进硅化钛在高温下的稳定性。双层硅化物是在多晶硅上淀积硅化物以形成温度为预定的第一温度的金属从而形成第一金属硅化物层，并淀积硅化物以形成温度为低于第一温度的第二温度的金属从而形成第二金属硅化物层，于是大大改善了由硅化钛构成的传统半导体器件在后续的热处理过程中出现的不稳定性，避免了晶粒生长、塑性变形和凝聚等现象。$＃!
基本信息
专利标题 ：
在多晶硅层表面上的高熔点金属硅化物层的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1121642A
申请号 ：
CN95109584.6
公开（公告）日 ：
1996-05-01
申请日 ：
1993-05-29
授权号 ：
CN1076866C
授权日 ：
2001-12-26
发明人 ：
白寿铉崔珍奭
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
萧掬昌
优先权 ：
CN95109584.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/283 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2013-07-17 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101490323192
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL951095846
申请日 : 19930529
授权公告日 : 20011226
期满终止日期 : 20130529
号牌文件序号 : 101490323192
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL951095846
申请日 : 19930529
授权公告日 : 20011226
期满终止日期 : 20130529
2001-12-26 ：
授权
1996-05-01 ：
公开
1996-04-10 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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