组合线圈感应耦合高密度等离子体源
专利申请的视为撤回
摘要
本发明是属于等离子体工艺设备，特别是用于半导体器件刻蚀工艺设备，它是由法拉弟壳层(1)、感应次极线圈(2)、绝缘材料壳层(3)、外壳座(40)、进出气孔(5)、(8)、芯片座(7)以及感应初极线圈(9)和电源(10)组成，本发明的特点在于，将感应次极线圈(2)做成了拱形的形状，还可以做成圆柱形状，其优点为，提高了感应效率，提高了等离子体的密度，芯片的均匀性也有较大改善，从而也就提高了半导体器件在刻蚀工艺生产中的成品率。
基本信息
专利标题 ：
组合线圈感应耦合高密度等离子体源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1089392A
申请号 ：
CN93119776.7
公开（公告）日 ：
1994-07-13
申请日 ：
1993-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴汉明
申请人 ：
中国科学院力学研究所
申请人地址 ：
100080北京市中关村路15号
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN93119776.7
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
1997-06-18 ：
专利申请的视为撤回
1994-07-13 ：
公开
1994-07-06 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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