小电流耐热性好的电可擦存储元件
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明涉及小电流耐热性好的电可擦存储元件。该存储元件包括硫族改进的过渡金属存储材料体。存储元件在明显低的转换能级转换速度呈成数量级的高。因而本发明的存储元件的特征在于，至少两个稳定非易失可检测的局部原子和／或电子有序的结构，该结构用指定的能级电输入信号可选择可重复地存取。该存储元件的特征还在于，增加了数据保持期的热稳定性，这稳定性是制作前述存储元件的材料，用元素改进的Ｔｅ－Ｇｅ－Ｓｂ半导体材料实现的。
基本信息
专利标题 ：
小电流耐热性好的电可擦存储元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1078574A
申请号 ：
CN93105038.3
公开（公告）日 ：
1993-11-17
申请日 ：
1993-05-08
授权号 ：
CN1050937C
授权日 ：
2000-03-29
发明人 ：
Ｓ·Ｒ·奥夫申斯基
申请人 ：
能源变换设备有限公司
申请人地址 ：
美国密歇根州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨凯
优先权 ：
CN93105038.3
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2009-07-08 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2000-03-29 ：
授权
1995-07-19 ：
实质审查请求的生效
1993-11-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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