三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种从含Cs2O和B2O3熔体中采用提拉技术生长CsB3O5单晶的方法，以及以CsB3O5单晶体制作的非线性光学器件。以本方法生长的CsB3O5单晶体，可用于制作非线性光学器件。该非线性光学器件具有高转换效率，抗光损伤性能优越，并能产生波长短至1700的紫外光输出。

基本信息

专利标题：

三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1073729A

申请号：

CN92102773.7

公开（公告）日：

1993-06-30

申请日：

1992-04-23

授权号：

CN1027514C

授权日：

1995-01-25

发明人：

吴以成佐佐木孝友

申请人：

中国科学技术大学;佐佐木孝友

申请人地址：

230026安徽省合肥市金寨路96号

代理机构：

中国科学技术大学专利事务所

代理人：

汪祥虬

优先权：

CN92102773.7

主分类号：

C30B29/22

IPC分类号：

C30B29/22 C30B15/00 C30B17/00 G02F1/03

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/16

氧化物

C30B29/22

复合氧化物

法律状态

2012-07-04 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101276911263
IPC(主分类) : C30B 29/22
专利号 : ZL921027737
申请日 : 19920423
授权公告日 : 19950125
期满终止日期 : 20120423

2002-06-12 ：

其他有关事项

1995-01-25 ：

授权

1993-06-30 ：

公开

1992-09-23 ：

实质审查请求已生效的专利申请

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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