半导体存储器件基准电压生成电路
专利申请的视为撤回
摘要
半导体存储器件基准电压生成电路包括：产生恒定电压的基准电压电路，将该恒定电压作为其一个输入的差动放大器，栅极与差动放大器输出端相连且其沟道连接于电源端与基准电压输出端之间的MOS晶体管以及输入、输出端分别与基准电压输出端、差动放大器另一个输入端相连接的分压器。该分压器具有一个连接于基准电压输出端与分压器输出端之间且工作于饱和区中的MOS型负载以及连接于分压器输出端与接地电压端的电阻。基准电压输出端的电压与上述恒定电压成正比，而与负载装置的电阻成反比，因此能不受温度及过程状态变化的影响而保持稳定。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件基准电压生成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1061864A
申请号 ：
CN91102987.7
公开（公告）日 ：
1992-06-10
申请日 ：
1991-04-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闵东瑄全东宋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
南朝鲜京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
郭伟刚
优先权 ：
CN91102987.7
主分类号 ：
G11C5/14
IPC分类号 ：
G11C5/14 G11C13/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/14
电源装置
法律状态
1993-10-13 ：
专利申请的视为撤回
1992-07-29 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1992-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1061864A.PDF
PDF下载
