基片涂层设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
用CVD法将膜层沉积到玻璃等表面上的一种涂敷器，它包括一对喷嘴，用来在浓度与速度能使涂层在反应速率受控条件下进行时，将含于载体气体中的已气化涂层化合物涂敷于上述表面。各喷嘴从下方邻近此表面，二者间有间距以通向外部大气。此两喷嘴相互对向，且相对于基片表面法线所成的角度是预先选定的。此角度与此间距给出了涂层蒸汽不与外部大气混合的条件。
基本信息
专利标题 ：
基片涂层设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1030946A
申请号 ：
CN88104239.0
公开（公告）日 ：
1989-02-08
申请日 ：
1988-07-09
授权号 ：
CN1020478C
授权日 ：
1993-05-05
发明人 ：
基尔格·哈依里奇·林得尼尔
申请人 ：
MT化学公司
申请人地址 ：
美国伍尔德里奇
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
许宾
优先权 ：
CN88104239.0
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C03C17/09
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2005-09-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-05-05 ：
授权
1989-11-08 ：
实质审查请求
1989-02-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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