磁控反应溅射氮化锆新型反光装饰膜的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种采用磁控反应溅射技术在金属及其合金材料，陶瓷，玻璃及耐温250℃以上的高分子化合物基体表面上沉积ZrNx新型反光膜的方法，该方法包括基体材料清洗，溅射净化，镀锆膜，再镀ZrNx膜，最后镀一层锆膜，通过改变氮气分压及偏压来改善膜层结构及表面状态，从而得到不同反射率及不同色泽的耐磨，耐腐蚀的反光装饰膜。该膜层制备工艺简单，重复性好，对环境无污染，可广泛用于反光材料及装璜仿金膜。
基本信息
专利标题 ：
磁控反应溅射氮化锆新型反光装饰膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037742A
申请号 ：
CN88102837.1
公开（公告）日 ：
1989-12-06
申请日 ：
1988-05-17
授权号 ：
CN1019512B
授权日 ：
1992-12-16
发明人 ：
郭信章
申请人 ：
北京市太阳能研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区花园路3号
代理机构 ：
北京市科技专利事务所
代理人 ：
韩建功
优先权 ：
CN88102837.1
主分类号 ：
C23C14/06
IPC分类号 ：
C23C14/06 C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
法律状态
1995-07-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-07-21 ：
授权
1992-12-16 ：
审定
1991-08-28 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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