磁多层结构
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种具有高磁导率及高饱和磁通密度的磁多层结构，包括互相变替叠置的多个磁层和多个中间层。各磁层由Fe、Co、Ni或包含这些元素的一种的金属制成，各中间层由能与磁层材料形成填隙固溶体的材料制成。
基本信息
专利标题 ：
磁多层结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106513A
申请号 ：
CN87106513.4
公开（公告）日 ：
1988-04-13
申请日 ：
1987-09-24
授权号 ：
CN1005941B
授权日 ：
1989-11-29
发明人 ：
小林俊雄大友茂一中谷亮一熊坂登行
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN87106513.4
主分类号 ：
H01F10/30
IPC分类号 ：
H01F10/30 H01F10/26 H01F10/16 G11B5/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F10/00
磁性薄膜，如单畴结构的
H01F10/26
按基底或中间层特性区分的
H01F10/30
按中间层的成分区分的
法律状态
2001-11-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-15 ：
授权
1989-11-29 ：
审定
1988-04-13 ：
公开
1988-03-30 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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