薄膜磁头及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种薄膜磁头，在其由第一和第二磁层构成的磁路中，带有两层导体层。该磁路在其与录制介质相对的一侧，有着第一和第二磁层在基本等于缝隙深度的长度上相互对应的部分，而非磁性缝隙层插入其间，另外还有着上述两磁层相互连接的前部。缝隙层的边缘构成了磁路的缝隙。如上配置的薄膜磁头可在不减少其生产量的情况下实现高密度录制。
基本信息
专利标题 ：
薄膜磁头及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87100502A
申请号 ：
CN87100502.6
公开（公告）日 ：
1987-08-12
申请日 ：
1987-01-27
授权号 ：
CN1004035B
授权日 ：
1989-04-26
发明人 ：
今中律高木政幸户川卫星藤治信长池完训大浦正树铃木三郎小林哲夫锹俊一郎
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
曹济洪
优先权 ：
CN87100502.6
主分类号 ：
G11B5/31
IPC分类号 ：
G11B5/31
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
G11B5/31
应用薄膜的
法律状态
2004-03-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1990-01-10 ：
授权
1989-04-26 ：
审定
1987-08-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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