具备电流沉能力的电压产生电路及芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种具备电流沉能力的电压产生电路及芯片，所述具备电流沉能力的电压产生电路包括：电流匹配单元，包括第一电流源和第二电流源；电流密度匹配单元，与所述电流匹配单元连接，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一电流源与所述第一MOS管连接，所述第二电流源与所述第二MOS管连接，所述第一MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极连接；参考电压单元，与所述第一MOS管连接；输出电压单元，与所述第二MOS管连接。本实用新型提供了一种电路结构简洁紧凑，并且可提供电流沉的电压产生电路。
基本信息
专利标题 ：
具备电流沉能力的电压产生电路及芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220074151.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
CN216596053U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
吴拓
申请人 ：
南京金阵微电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2251室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐秀秀
优先权 ：
CN202220074151.1
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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