一种深紫外UVC芯片外延结构及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及深紫外UVC芯片技术领域，尤其涉及一种深紫外UVC芯片外延结构及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：所述深紫外UVC外延结构包括衬底和生长在所述衬底一侧的功能层；所述功能层为AlGaN基功能层；将所述衬底的另一侧制备Ni金属层后，进行热处理，得到Ni金属自组装球聚层；以所述Ni金属自组装球聚层为掩模进行刻蚀后，去除所述Ni金属自组装球聚层，得到凹凸不平的衬底面；在所述凹凸不平的衬底面生长增透膜。所述制备方法制备得到的深紫外UVC芯片外延结构可以提高UVC芯片的外量子效率。
基本信息
专利标题 ：
一种深紫外UVC芯片外延结构及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512581A
申请号 ：
CN202210412878.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-04-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阮怀权黄小辉袁祥龙
申请人 ：
至芯半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区河庄街道东围路599号博潮城4幢一层和二层
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
霍苗
优先权 ：
CN202210412878.0
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/44 H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/22
申请日 : 20220420
申请日 : 20220420
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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