一种基于8T SRAM的多比特权重量化电路
实质审查的生效
摘要
本发明涉及存内计算技术领域，特别是涉及一种基于8T SRAM的多比特权重量化电路，包括矩阵式排列的8T SRAM，各列8T SRAM的读位线共线连接，且各读位线均通过电容连接公共连接端VSS；各8T SRAM均包括6T‑SRAM、管N5和管N6；管N5的栅极与6T‑SRAM中权重存储节点连接，管N5的源极接VSS，管N5的漏极连接管N6源极，管N6的栅极连接读字线，管N6的漏极连接读位线；各个8T SRAM中管N5和N6的沟道宽度相同，每行8T SRAM中各管N5的沟道宽度不同，每列8T SRAM中各管N5的沟道宽度相同。本发明减少了比特权重的量化占用的电路面积。
基本信息
专利标题 ：
一种基于8T SRAM的多比特权重量化电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496022A
申请号 ：
CN202210400883.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周玉梅黎涛乔树山尚德龙
申请人 ：
中科南京智能技术研究院
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园1号楼5层
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
王爱涛
优先权 ：
CN202210400883.X
主分类号 ：
G11C11/412
IPC分类号 ：
G11C11/412 G11C11/419
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/412
只使用场效应晶体管的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/412
申请日 : 20220418
申请日 : 20220418
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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