一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及碳化硅单晶片制造技术领域，公开了一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；采用大于所述单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中，向所述碳化硅晶锭提供正恒电位并对所述刻蚀液进行微波加热，实现单晶层的剥离，得到碳化硅单晶片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅单晶片。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114427115A
申请号 ：
CN202210338379.1
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
耿文浩王蓉皮孝东杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202210338379.1
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20220401
申请日 : 20220401
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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