本发明涉及存储器技术领域，尤指一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器，至少包括半导体存取晶体管、垂直磁化的磁性隧道结和互连导线结构，所述磁性隧道结包括垂直磁化的磁性固定层，垂直磁化的磁性自由层，以及位于磁性固定层和磁性自由层之间的隧穿势垒层；所述磁性自由层由垂直磁化的人工反铁磁结构组成，包含垂直磁化的第一磁性自由层，垂直磁化的第二磁性自由层，以及位于第一磁性自由层和第二磁性自由层之间的耦合层；所述半导体存取晶体管和磁性隧道结组成存储单元，磁性隧道结的高低电阻态代表所存储的数据；磁性隧道结的自由层包含垂直磁化的人工反铁磁结构。本发明能够增强磁性随机存储器的抗磁场干扰能力，提高产品的可靠性。