一种双极化方向可调谐的太赫兹超材料传感器及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种双极化方向可调谐的太赫兹超材料传感器及其制备方法。所述的双极化方向可调谐的太赫兹超材料传感器,包括N×N个在平面上周期排列的结构单元,每个结构单元呈长方体形状,每个结构单元包括介质层和设于介质层上的石墨烯层,所述的石墨烯层为同心嵌套的两个石墨烯圆环结构,其中内环为完整的石墨烯圆环,外环为分裂的石墨烯圆环;外环的俯视形状由相对的左分裂环和右分裂环组成,其中左分裂环的上、下两个缺口在同一条纵向垂直线上,右分裂环的上、下两个缺口也在同一条纵向垂直线上,但它们与左分裂环的上、下两个缺口不重合。本发明所述太赫兹超材料传感器在双极化方向上都具有两个透明窗口且调控范围广,灵敏性高。

基本信息
专利标题 :
一种双极化方向可调谐的太赫兹超材料传感器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114447619A
申请号 :
CN202210250920.3
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-03-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈涛梁棣涵张活王月娥殷贤华
申请人 :
桂林电子科技大学
申请人地址 :
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 :
桂林市持衡专利商标事务所有限公司
代理人 :
唐智芳
优先权 :
CN202210250920.3
主分类号 :
H01Q15/00
IPC分类号 :
H01Q15/00  H01Q15/24  G02B1/00  
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 15/00
申请日 : 20220315
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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