一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法
公开
摘要
一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，该方法利用二维铁电材料和去离子水的共同作用，通过施加门电压的方式，使得二维铁电材料和去离子水共同产生极化，使极化效应增强，共同作用于导电沟道，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于去离子水的加入，使得极化效应大大增强了，器件的电阻率有很大的提高。
基本信息
专利标题 ：
一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613678A
申请号 ：
CN202210247344.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
普勇付新周双
申请人 ：
南京邮电大学
申请人地址 ：
江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢霞
优先权 ：
CN202210247344.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/78 H01L29/78 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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