三维存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。所述方法包括：在衬底上设置包括多个阶梯台阶的叠层结构；形成覆盖每个阶梯台阶顶面和侧壁的缓冲层；去除覆盖每个阶梯台阶侧壁的缓冲层，并在阶梯台阶上方形成介质层；以及去除每个阶梯台阶顶面的缓冲层及其下方的栅极牺牲层的一部分以形成空间，并在空间内填充导电材料以在每个阶梯台阶顶面形成浮动接触结构。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388519A
申请号 ：
CN202210233622.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张中王迪周文犀
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210233622.3
主分类号 ：
H01L27/11556
IPC分类号 ：
H01L27/11556 H01L27/11524
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11556
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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