一种基于纳米压痕试验的电子封装材料残余应力计算方法
公开
摘要
一种基于纳米压痕试验的电子封装材料残余应力计算方法包括如下步骤：步骤1：建立含有残余应力的无量纲函数；步骤2：确定电子封装材料无量纲函数的参数；步骤3：通过纳米压痕试验，得到有残余应力(待测试)样件的P、h值；步骤4：通过无量纲函数计算样件残余应变；步骤5：通过本构模型计算样件残余应力。该方法可以利用有限元仿真方法，结合含有残余应力的无量纲函数，建立不同电子封装材料的残余应力与纳米压痕荷载‑位移曲线之间的关系，进一步参考纳米压痕实验结果，计算获取电子封装材料残余应力。
基本信息
专利标题 ：
一种基于纳米压痕试验的电子封装材料残余应力计算方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114611354A
申请号 ：
CN202210232634.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙旭苏昱太刘永超
申请人 ：
西北工业大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区友谊西路127号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210232634.4
主分类号 ：
G06F30/23
IPC分类号 ：
G06F30/23 G06F111/10 G06F119/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/23
使用有限元方法或有限差方法
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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