一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法，包括石墨保温毡、坩埚、感应线圈和电阻加热器，其中，所述坩埚置于石墨保温毡中，感应线圈位于石墨保温毡外侧，电阻加热器位于石墨保温毡内部，且位于坩埚的顶部或/和底部。采用感应加热及电阻加热相结合的加热方式，单晶生长系统的温度控制以感应电源加热为主，电阻加热为辅。在单晶生长过程和晶体高温退火过程中，通过调节感应加热和电阻加热器的功率比例，分别构建出近平微凸和平温场，获得大直径高质量SiC单晶。
基本信息
专利标题 ：
一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540943A
申请号 ：
CN202210227495.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢雪健胡国杰徐现刚彭燕胡小波陈秀芳王兴龙
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市历城区山大南路27号
代理机构 ：
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓鹏
优先权 ：
CN202210227495.6
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36 C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20220308
申请日 : 20220308
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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