锂氮共掺杂的金刚石半导体的微波等离子气相沉积系统
公开
摘要
本发明公开了一种锂氮共掺杂的金刚石半导体的微波等离子气相沉积系统，涉及半导体技术领域。包括气相沉积室，所述气相沉积室内设置有用于放置衬底的安装底座，安装底座上方用于对衬底进行加热的热丝，所述气相沉积室内还设置有粉末铺设机构，以使粉末均匀铺设在衬底上；所述粉末铺设机构包括两端开口并竖直设置的料筒、入料管道和筛料板；所述入料管道的第一端延伸至气相沉积室外，第二端延伸至料筒内且竖直朝上；所述筛料板设置于料筒的上方，筛料板正对料筒顶部开口的位置设置有筛孔。本发明能够保证在半导体材料制备过程中，含有锂元素的粉末达到在水平向均匀铺设的效果。
基本信息
专利标题 ：
锂氮共掺杂的金刚石半导体的微波等离子气相沉积系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561629A
申请号 ：
CN202210192070.6
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-06-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余斌余海粟朱轶方陆骁莹
申请人 ：
杭州超然金刚石有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区经济技术开发区鸿兴路158号2号楼2-117
代理机构 ：
杭州信与义专利代理有限公司
代理人 ：
马育妙
优先权 ：
CN202210192070.6
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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