一种MPCVD法生长多晶金刚石的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种MPCVD法生长多晶金刚石的制备方法，包括以下步骤：步骤一、选取质量分数为40%~80%硅溶胶溶液与金刚石微粉均匀混合后得到混合物；步骤二、将步骤一得到的混合物直接压制成衬底片或者将步骤一得到的混合物与钼台一起压铸成型得到坯体，进行预烧结；步骤三、将步骤二预烧结后得到的衬底片或坯体放入MPCVD机器腔体中，在750~1250℃沉积10~240h，获得多晶金刚石毛坯；步骤四、采用BOE溶液处理步骤三得到的多晶金刚石毛坯之后即得到多晶金刚石，本发明提供了一种低成本的衬底，有效的降低了多晶金刚石的的生长成本，提高了生长效率，解决了多晶金刚石衬底难以剥离的问题，对生长的多晶金刚石的利用率更高。
基本信息
专利标题 ：
一种MPCVD法生长多晶金刚石的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114517331A
申请号 ：
CN202210186086.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许坤赵俊贤王沛王皓吕思远叶志豪曾凡光杜银霄陈雷明
申请人 ：
郑州航空工业管理学院
申请人地址 ：
河南省郑州市二七区大学中路2号
代理机构 ：
洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
李现艳
优先权 ：
CN202210186086.6
主分类号 ：
C30B28/14
IPC分类号 ：
C30B28/14 C30B29/04 C30B33/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/12
由气态直接制备
C30B28/14
用反应气体的化学反应法
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 28/14
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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