一种降低距离维波束形成副瓣的稀疏阵列优化配置方法
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摘要

本发明公开了一种降低距离维波束形成副瓣的稀疏阵列优化配置方法:步骤1,根据稀疏分布天线阵列分布的口径D和阵元数N,以奇数元的非均匀布阵形式为分布式稀疏阵列的基本阵型;步骤2,选取稀疏分布天线阵列的中心阵元为参考阵元;步骤3,计算基本阵型所需要的阵元间距调整基础量:步骤4,计算各阵元相对于参考阵元的X坐标;步骤5,计算相位加权矢量组成的相位加权矩阵;步骤6,计算以距离r为变量的距离维波束图;步骤7,对阵元位置设置随机扰动;步骤8,计算新的波束图。本发明在无需幅度加权的条件下,仅通过优化配置阵元位置,实现较低副瓣的距离维数字波束形成效果,从而降低距离维从副瓣进入的干扰信号的影响。

基本信息
专利标题 :
一种降低距离维波束形成副瓣的稀疏阵列优化配置方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114218814A
申请号 :
CN202210165602.7
公开(公告)日 :
2022-03-22
申请日 :
2022-02-23
授权号 :
CN114218814B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
胡昌华李智钟都都唐勇肖开清杨剑何川方晓夏巍巍
申请人 :
中国人民解放军火箭军工程大学
申请人地址 :
陕西省西安市灞桥区洪庆镇同心路2号
代理机构 :
西安恒泰知识产权代理事务所
代理人 :
王芳
优先权 :
CN202210165602.7
主分类号 :
G06F30/20
IPC分类号 :
G06F30/20  G06F30/18  H01Q21/00  H01Q21/29  G06F111/04  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-05-13 :
授权
2022-04-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20220223
2022-03-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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