一种非易失性随机存储器磁旋存储芯片以及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种非易失性随机存储器磁旋存储芯片，属于半导体领域，包括底层金属连线，用于电路布局布线；底部通孔，位于所述底层金属连线以及底电极之间，连接所述底层金属连线及所述底电极；底电极，位于所述底部通孔之上，用于承载磁性隧穿结构，所述底电极为多层导电材料形成的复合结构；磁性隧穿结构，所述磁性隧穿结构通过改变其翻转状态实现读写数据；顶层金属连线，位于所述磁性隧穿结构上，用于电路布局布线，本申请的底电极为多层导电材料形成的复合结构可以极大的提高底电极的平整度及表面平整度，将底电极的表面粗糙度优化至小于提高了芯片的性能。本申请还包括上述非易失性随机存储器磁旋存储芯片的制备方法。
基本信息
专利标题 ：
一种非易失性随机存储器磁旋存储芯片以及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464642A
申请号 ：
CN202210138874.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施金汕单梦麟贺宇鹰
申请人 ：
苏州伯嘉半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区太湖新城夏蓉街399号稻谷互联网产业园1号楼1702-19
代理机构 ：
北京远大卓悦知识产权代理有限公司
代理人 ：
贺杰
优先权 ：
CN202210138874.8
主分类号 ：
H01L27/22
IPC分类号 ：
H01L27/22 H01L43/02 H01L43/08 H01L43/12 G11C11/16
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/22
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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