二维可扩展量子点结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及了一种二维可扩展量子点结构及其制备方法，二维可扩展量子点结构包括：基底，包含有第一定位标记区，第一定位标记区内包含有至少一个离子注入区；第一绝缘层，设置于基底上；欧姆接触层，设置于离子注入区的外围区域上；多个电极层，设置于所述第一绝缘层上，位于外围电极层的电极区内，电极区在第一定位标记区所在平面的投射位置为第一定位标记区的中心位置，每个电极层由多个纳米级的电极组成，不同电极层之间设有绝缘层；还包括外围电极层；以及导通区，形成有连接窗口，用来连接外围电极层和多个电极层上的电极。其中，基于电极形成的独立栅极，栅极间相互重叠，施加电压后形成2×2阵列量子点结构。
基本信息
专利标题 ：
二维可扩展量子点结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114492818A
申请号 ：
CN202210137320.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
印慧丽王保传李海欧曹刚郭国平
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
孙蕾
优先权 ：
CN202210137320.6
主分类号 ：
G06N10/20
IPC分类号 ：
G06N10/20
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06N 10/20
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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