一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片，涉及光伏电池领域。用于硅片的扩散方法包括以下步骤：先将预处理后的硅片进行一次沉积处理，温度为700～780℃，然后进行二次沉积处理，温度为720～800℃，二次沉积处理的温度高于一次沉积处理的温度；再将硅片进行一次推结处理，温度为800～840℃；随后将硅片进行二次推结处理，温度为840～880℃；一次推结处理的温度高于二次沉积的温度，低于二次推结处理的温度。使用该扩散方法得到的光伏硅片，其硅片表面掺杂浓度低，内部掺杂浓度高且均匀，硅片的表面复合作用小，少子的寿命长，用于太阳能电池时，能得到光转化效率高的太阳能电池。
基本信息
专利标题 ：
一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497283A
申请号 ：
CN202210117046.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李红飞徐冠群郑傲然夏伟吉克超
申请人 ：
通威太阳能(安徽)有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
彭月
优先权 ：
CN202210117046.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/02 C30B29/06 C30B31/06
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220207
申请日 : 20220207
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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